【轉載文匯報】
新華社上海2月2日電(記者張建松、張泉)以碳化矽(SiC)為代表的第三代半導體材料是我國製造業轉型升級的驅動因素與重要保證。記者從中國科學院微電子研究所獲悉,我國在太空成功驗證了首款國產碳化矽(SiC)功率器件,第三代半導體材料可望牽引我國航天電源升級換代。
1月23日23時32分,我國在西昌衛星發射中心使用長征三號乙運載火箭,成功將通信技術試驗衛星十四號發射升空,衛星順利進入預定軌道,發射任務獲得圓滿成功。
1月17日12時7分,我國在酒泉衛星發射中心使用長徵二號丁運載火箭,成功將巴基斯坦PRSC-EO1衛星發射升空,衛星順利進入預定軌道,發射任務圓滿成功。